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ZnTe/CdSe type-II量子点,CdSe/ZnSe Type-I量子点的形貌和光学性质

作者:瑞禧生物 发布时间:2022-08-09 10:16:38 次浏览

ZnTe/CdSe type-II量子点,CdSe/ZnSe Type-I量子点的形貌和光学性质 采用ZnTe/CdSe type-II量子点做光子吸收体,Type-II量子点光生电子和空穴在物理空间上是分开的,处在不同的核壳之中,具有非常宽的吸收范围、非常快速的载流子分离和缓慢的复合过程,这些**的特性使其成为光子上转换吸收体的选择之一; 选用CdSe/ZnSe Type-I量子点作为光子发射体,Type-I量子点光生电子和空穴限域在同一种成分里面,因此光子复合速率快、效率高、荧光量子产率和稳定性高,是作为光子发射体的不二选择。 将这两种量子点封闭成双量子点体系,大幅提高了半导体双量子点材料的上转换发光效率。 为了研究上转换发光的过程,研究人员展示了能获得更高能量光子的三种可能途径。共振激发需要**个吸收的光子处于共振状态(在 820nm),这其中又可以通过如图2a 所示的**次共振带内吸收(仅在 820nm 处吸收)或通过如图 2b 所示的带间吸收(也在 1064nm 处启用)进行。双光子吸收(图2c)与 UC 过程类似都能激发出相同的高能量发光,但它是一个瞬时过程,不涉及在激发光子处存在吸收共振,也可以拿来做对比。 可以合成各种复杂定制类的核壳型荧光量子点产品,我们的产品涉及到各种的多肽、蛋白、多糖;聚合物修饰的荧光量子点产品. Cu掺杂的InP@ZnSe+ZnS核壳量子点 InP@ZnSeS荧光量子点 InGaP@ZnS荧光量子点 InP/CdS核壳结构量子点 InAs/InP量子点 InAs/InP QDs InAs/InGaAsP/InP量子点 GaP和AlP壳的INP量子点 InAs/InGaAsP/InP叠层结构量子点 InP/ZnS核壳量子点 Li,zn金属离子掺杂的InP量子点(分别记为Li:InP和Zn:InP) 近红外荧光发射的InP量子点 InAs/InP共面条状量子点 InP/GaP/ZnS量子点 InP与ZnSe基荧光量子点 温馨提示:供应的产品仅用于科研,不能用于人体和其他商业用途zhn2021.07.01
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