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化学蚀刻与水热相结合制备的新型复合光电材料Cs4PW11O39Fe/Si（Cs4PW11Fe/Si）。这种复合光电材料具有优越的光电性能。得到的瞬时光电流密度为0.4 mA cm−2，**表面光电压为0.043 mV，**IPCE为80.8％，远高于原始p-Si和Cs4PW11Fe。ITO/Cs4PW11Fe/p-Si/Ag的PCE为1.36％，Voc为0.78 V, Jsc为1.27 mA cm−2,FF为68.5％。复合光电材料Cs4PW11O39Fe/Si的光电性能提高源于材料表面的“乳突状”结构和n-Cs4PW11Fe与p-Si之间的p-n异质结的形成。乳突状结构和p-n结有利于增加光吸收，促进光生载流子的分离和转移。是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；**于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。sjl2012/12/13