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采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在SiO2（110）衬底上制备了光电性能可调的光电材料三元（In1-xAlx）2O3 （IAO）薄膜。 研究了不同In-Al含量x [Al/（In+Al）原子比]对光电材料IAO薄膜结构、形貌和光电性能的影响。 XRD分析表明，随着In含量的降低，薄膜由高质量的立方In2O3结构转变为非晶相。 所有光电材料IAO薄膜均表现出**的光学性能，在可见范围内的平均透射率均超过84％。 当x值为0 ~ 0.9时，薄膜的光学带隙可从3.71 eV调制到5.29 eV。随着In含量的降低，霍尔迁移率和载流子浓度下降，电阻率增加。 结果表明，通过改变in - al组分，可以**地调节IAO薄膜的性能，从而可应用于短波长光电器件的制备。 更多推存 meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物 硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS) cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+) 原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7 是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；**于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。sjl2012/12/21