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用水热法，在不同浓度的F−掺杂条件下，在Cu衬底上沉积了F-掺杂的光电材料Cu2O薄膜。 采用XRD、SEM、EDS、UV-Vis和XPS对样品的结构、形貌、组成和禁带带宽进行了表征。 并对其光电特性、电容电压特性和交流阻抗特性进行了研究。未掺杂和f掺杂的Cu2O薄膜均为p型半导体。 当F−掺杂浓度为0.002 mol/L时，择优生长表面为(110)、(111)和(200)，且(111)面结晶度**。掺杂后的Cu2O晶粒尺寸相对均匀。F元素的质量百分比为0.34%，禁带带宽从1.96 eV降低到1.91 eV。 光电压和光电流密度分别增加到0.4457 V和2.79 mA/cm2。载流子浓度从4.55 × 1018 cm−3增加到2.58 × 1022 cm−3。 光下电阻值由183.4 Ω降低到55.8 Ω。采用水热法，在不同浓度的F−掺杂条件下，在Cu衬底上沉积了F-掺杂的光电材料Cu2O薄膜。 采用XRD、SEM、EDS、UV-Vis和XPS对样品的结构、形貌、组成和禁带带宽进行了表征。 并对其光电特性、电容电压特性和交流阻抗特性进行了研究。未掺杂和f掺杂的Cu2O薄膜均为p型半导体。 当F−掺杂浓度为0.002 mol/L时，择优生长表面为(110)、(111)和(200)，且(111)面结晶度**。掺杂后的Cu2O晶粒尺寸相对均匀。 F元素的质量百分比为0.34%，禁带带宽从1.96 eV降低到1.91 eV。光电压和光电流密度分别增加到0.4457 V和2.79 mA/cm2。 载流子浓度从4.55 × 1018 cm−3增加到2.58 × 1022 cm−3。光下电阻值由183.4 Ω降低到55.8 Ω。 更多推存 meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物 硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS) cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+) 原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7 是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；**于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/01/04