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本文对近距离升华法(CSS)生长的CdZnTe多晶薄膜进行了化学抛光。 采用能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱(Raman)、电流-电压(I-V)特性和电流-时间(I-T)测试了溴化甲醇腐蚀溶液(CH3OH:Br2 = 50:1.5)的腐蚀时间对结构的影响。 CdZnTe多晶薄膜的表面形貌和光电性能。 结果表明，适当的化学抛光时间可以降低CdZnTe薄膜的表面粗糙度、表面缺陷和漏电流。 改善CdZnTe薄膜的光电性能。 更多推存 meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物 硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS) cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+) 原卟啉 IX 二甲酯，CAS号:5522-66-7 是国内光电材料，纳米材料，聚合物；化学试剂供应商；**于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料（聚集诱导发光材料）和发光探针（磷脂探针和酶探针）、碳量子点、金属纳米簇；嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/01/05