光电材料|ZnO量子点薄膜作为有前途的电子输运层:表面体积比对光电性能的影响
作者：瑞禧生物 发布时间：2022-08-09 10:15:19
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采用低温溶剂热法制备了平均粒径为4.4 nm的ZnO量子点。
以ZnO QD溶液为原料，采用旋转镀膜技术制备了ZnO QD薄膜，并分别在250、350和450℃退火。
随着退火温度升高至450℃，ZnO的平均晶粒尺寸和能带隙分别由5.5 ~ 22.9 nm和3.37 ~ 3.27 eV增大和减小。
光致发光分析表明，包覆ZnO薄膜和250℃退火的ZnO薄膜中存在高密度的氧空位;这些缺陷在温度升高到350和450°C时减少。
薄膜的光电性能受晶粒尺寸和薄膜中缺陷的影响较大。
随着温度升高到450℃，光暗电流比(PDCR)从3723降低到371%，而响应率从1.25增加到218 mA/W。
as涂层和250°c退火的薄膜由于其更大的表面与体积比，在PDCR、上升时间和下降时间方面具有更好的光响应，使其成为钙钛矿太阳能电池中的电子传输层。
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