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中文名称: 机械剥离氧化硅/硅基底单层二硫化钼 英文名称：Mechanical exfoliation MoS2 on SiO2/Si   性质 形态：薄膜 参数 基底：二氧化硅/硅 氧化层：300nm 基底尺寸：10 mmx10 mm 单个MOS2面积:≥10 µm2 备注:大于等于1片样品是单层   应用本公司最新推出机械剥离制备的二硫化钼，相比较锂插层制备的单层类石墨烯材料，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。